Chiny Elektroniczny układ scalony producent

Najlepsza obsługa, najlepszy chip

Największy w Chinach kompleksowy zakup komponentów

Polish
Poprosić o wycenę
Produkty

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultraszybkie IGBT 31A 600V Diody Tranzystory

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors
STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors
Podstawowe informacje
Nazwa handlowa: STMicroelectronics
Numer modelu: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD
Minimalne zamówienie: 1 kawałek
Czas dostawy: 2 ~ 8 dni roboczych
Zasady płatności: T/T
Najlepsza cena Skontaktuj się teraz
Marka: STMicroelectronics Certyfikat: /
Model: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD MOQ: 1 szt.
Cena: Negotiated Dostawa: 2 ~ 8 dni roboczych
Zapłata: T/T
High Light:

600V Diody Tranzystory

,

STGWA19NC60HD

,

GWA19NC60HD

Opis produktu

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD ultraszybki IGBT 31 A 600 V bardzo szybki IGBT z diodą Ultrafast

Tranzystory — IGBT — pojedyncze31 A, 600 V, bardzo szybki IGBT z diodą Ultrafast

 

Szczegóły Produktu

 

Opis :

To urządzenie jest ultraszybkim tranzystorem IGBT.

Wykorzystuje zaawansowany proces Power MESH™, co zapewnia doskonały kompromis między wydajnością przełączania a niskim zachowaniem w stanie włączenia.

 

Cechy

Niski spadek napięcia (VCE(sat))

Bardzo miękka dioda antyrównoległa Ultraszybkiego odzyskiwania

 

Aplikacje

■ Napędy silnikowe wysokiej częstotliwości

■ SMPS i PFC w topologiach przełącznika twardego i rezonansu

 

Produkty powiązane:

Numer części Opis
STGWA100H65DFB2 BRAMKA WYKOPOWA, 650 V, 1
STGWA15S120DF3 IGBT 1200V 15A TO247-3L
STGWA19NC60HD IGBT 600V 52A 208W TO247
STGWA15H120DF2 IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

STGWA15M120DF3		 IGBT 1200V 30A 259W
STGWA15H120F2 IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3

 

Etykietka:

H30R1602 Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe,

IRFB4310PBF,

dyskretne urządzenia półprzewodnikowe mocy IGBT

Szczegóły kontaktu
Jeszcze Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe
Chiny dobry jakość Elektroniczny układ scalony dostawca. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.