Najlepsza obsługa, najlepszy chip
Największy w Chinach kompleksowy zakup komponentów
| Nazwa handlowa: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
|---|---|
| Numer modelu: | IRF1404ZPBF |
| Minimalne zamówienie: | 1 kawałek |
| Czas dostawy: | 2 ~ 8 dni roboczych |
| Zasady płatności: | T/T |
| Marka: | Infineon Technologies/Międzynarodowy prostownik IOR | Certyfikat: | / |
|---|---|---|---|
| Model: | IRF1404ZPBF | MOQ: | 1 szt. |
| Cena: | Negotiated | Dostawa: | 2 ~ 8 dni roboczych |
| Zapłata: | T/T | ||
| High Light: | Tranzystor kanałowy 200 W N,tranzystor kanałowy 180 A N,IRF1404ZPBF |
||
Opis produktu
Tranzystory IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W przewlekany TO-220AB HEXFET FETy MOSFET
Kanał N 180A (Tc) 200W (Tc) otwór przelotowy TO-220AB Specyfikacja:
Kategoria | Dyskretne produkty półprzewodnikowe |
Tranzystory — tranzystory FET, tranzystory MOSFET — pojedyncze | |
Prod | Technologie Infineon |
Seria | HEXFET® |
Pakiet | Rura |
Typ FET | Kanał N |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 40 V |
Prąd — Ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 180A (Tc) |
Napięcie napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3,7mOhm @ 75A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Ładowanie bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 150 nC przy 10 V |
Vgs (maks.) | ±20V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds | 4340 pF przy 25 V |
Funkcja FET | - |
Rozpraszanie mocy (maks.) | 200W (Tc) |
temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ mocowania | Przez otwór |
Pakiet urządzeń dostawcy | TO-220AB |
Pakiet / Sprawa | TO-220-3 |
Podstawowy numer produktu | IRF1404 |
Opis
Ten HEXFET® Power MOSFET wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć wyjątkowo niski opór na obszar krzemu.
Dodatkowe cechy tego produktu to temperatura robocza złącza 175°C, duża szybkość przełączania i ulepszona powtarzalna odporność na lawinę.Połączenie tych cech sprawia, że konstrukcja ta jest niezwykle wydajnym i niezawodnym urządzeniem do stosowania w szerokiej gamie zastosowań.
