Zostaw wiadomość
Oddzwonimy wkrótce!
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
Proszę sprawdzić email!
Więcej informacji ułatwia lepszą komunikację.
Przesłano pomyślnie!
Oddzwonimy wkrótce!
Zostaw wiadomość
Oddzwonimy wkrótce!
Twoja wiadomość musi mieć od 20 do 3000 znaków!
Proszę sprawdzić email!
Nazwa handlowa: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
---|---|
Numer modelu: | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF |
Minimalne zamówienie: | 1 kawałek |
Czas dostawy: | 2 ~ 8 dni roboczych |
Zasady płatności: | T/T |
Marka: | Infineon Technologies/Międzynarodowy prostownik IOR | Certyfikat: | / |
---|---|---|---|
Model: | IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF | MOQ: | 1 szt. |
Cena: | Negotiated | Dostawa: | 2 ~ 8 dni roboczych |
Zapłata: | T/T | ||
High Light: | FET HEXFET Power Mosfet,IRFB7440PBF HEXFET Power Mosfet,IRFB4310PBF |
Opis produktu
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Tranzystory TO-220AB HEXFET FETy MOSFET
Tranzystory N-Channel 180A 200W przewlekany TO-220AB HEXFET FETy MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Opis:
Ten HEXFET® Power MOSFET wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć wyjątkowo niski opór na obszar krzemu.
Dodatkowe cechy tego produktu to temperatura robocza złącza 175°C, duża szybkość przełączania i ulepszona powtarzalna odporność na lawinę.Połączenie tych cech sprawia, że konstrukcja ta jest niezwykle wydajnym i niezawodnym urządzeniem do stosowania w szerokiej gamie zastosowań.
Kanał N 180A (Tc) 200W (Tc) otwór przelotowy TO-220AB Specyfikacja:
Kategoria
|
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
|
Tranzystory — tranzystory FET, tranzystory MOSFET — pojedyncze
|
|
Prod
|
Technologie Infineon
|
Seria
|
HEXFET®
|
Pakiet
|
Rura
|
Typ FET
|
Kanał N
|
Technologia
|
MOSFET (tlenek metalu)
|
Napięcie dren-źródło (Vdss)
|
40 V
|
Prąd — Ciągły drenaż (Id) przy 25°C
|
180A (Tc)
|
Napięcie napędu (Max Rds On, Min Rds On)
|
10V
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
3,7mOhm @ 75A, 10V
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
4V @ 250µA
|
Ładowanie bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
|
150 nC przy 10 V
|
Vgs (maks.)
|
±20V
|
Pojemność wejściowa (Ciss) (Max) @ Vds
|
4340 pF przy 25 V
|
Funkcja FET
|
-
|
Rozpraszanie mocy (maks.)
|
200W (Tc)
|
temperatura robocza
|
-55°C ~ 175°C (TJ)
|
Typ mocowania
|
Przez otwór
|
Pakiet urządzeń dostawcy
|
TO-220AB
|
Pakiet / Sprawa
|
TO-220-3
|
Podstawowy numer produktu
|
IRF1404
|