Najlepsza obsługa, najlepszy chip
Największy w Chinach kompleksowy zakup komponentów
| Nazwa handlowa: | Vishay Semiconductor |
|---|---|
| Numer modelu: | SIHF10N40D-E3 |
| Minimalne zamówienie: | 1 kawałek |
| Czas dostawy: | 2 ~ 8 dni roboczych |
| Zasady płatności: | T/T |
| Marka: | Półprzewodnik Vishay | Certyfikat: | / |
|---|---|---|---|
| Model: | SIHF10N40D-E3 | MOQ: | 1 szt. |
| Cena: | Negotiated | Dostawa: | 2 ~ 8 dni roboczych |
| Zapłata: | T/T | ||
| High Light: | Dyskretne urządzenia półprzewodnikowe z kanałem N,dyskretne urządzenia półprzewodnikowe EAR99,SIHF10N40D-E3 |
||
Tranzystor N-kanałowy Dyskretne półprzewodniki SIHF10N40D-E3 Moc Mosfety
| UE RoHS | Zgodny |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Stan części | Aktywny |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automobilowy | Nie |
| PPAP | Nie |
| Kategoria produktu | MOSFET mocy |
| Konfiguracja | Pojedynczy |
| Tryb kanału | Wzmocnienie |
| Typ kanału | N |
| Liczba elementów na chip | 1 |
| Maksymalne napięcie źródła drenażu (V) | 400 |
| Maksymalne napięcie źródła bramki (V) | ±30 |
| Maksymalne napięcie progowe bramki (V) | 5 |
| Maksymalny ciągły prąd spustowy (A) | 10 |
| Maksymalny prąd upływu źródła bramki (nA) | 100 |
| Maksymalny IDSS (uA) | 1 |
| Maksymalna rezystancja źródła odpływu (MOhm) | 600 przy 10 V |
| Typowy ładunek bramki @ Vgs (nC) | 15@10V |
| Typowe ładowanie bramki przy 10 V (nC) | 15 |
| Typowa pojemność wejściowa @ Vds (pF) | 526@100V |
| Maksymalne rozpraszanie mocy (mW) | 33000 |
| Typowy czas upadku (ns) | 14 |
| Typowy czas narastania (ns) | 18 |
| Typowy czas opóźnienia wyłączenia (ns) | 18 |
| Typowy czas opóźnienia włączenia (ns) | 12 |
| Minimalna temperatura pracy (°C) | -55 |
| Maksymalna temperatura pracy (°C) | 150 |
| Pakiet dostawcy | TO-220FP |
| Liczba pinów | 3 |
| Standardowa nazwa pakietu | TO-220 |
| Montowanie | Przez otwór |
| Wysokość opakowania | 16.12 (maks.) |
| Długość opakowania | 10,63 (maks.) |
| Szerokość opakowania | 4,83 (maks.) |
| Zmieniono płytkę drukowaną | 3 |
| Patka | Patka |
| Kształt ołowiu | Przez otwór |
| Numer części | SIHF10N40D-E3 |
| Numer części podstawowej | SIHF10N40 |
| UE RoHS | Zgodny z zwolnieniem |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Stan części | Aktywny |
| HTS | 8541.29.00.95 |
